第331章 流片成功！ (第2/2页)
　　
　　【离子注入！关键参数来了！！！】
　　
　　【我查了771所这批机器的资料——核心问题是束流电流太低导致注入时间过长，硅片在真空腔里受热不均匀！】
　　
　　【解法很简单但很反直觉——把束流电流提上去！10mA！加速电压拉到50keV！让注入时间缩短，减少热积累！】
　　
　　【最关键的一步：真空度！必须拉到10的负5次方帕斯卡！不然残余气体会和离子束发生散射，杂质分布肯定不均匀！】
　　
　　【对！这台老机器的分子泵其实能达到这个真空度，但出厂预设太保守了，得手动调旁通阀把抽速拉满！】
　　
　　林希睁开眼。
　　
　　“苏师傅。”
　　
　　苏佩兰回头。
　　
　　“束流电流调到10毫安。”
　　
　　“加速电压拉到50千电子伏特。”
　　
　　苏佩兰愣了一下。
　　
　　“电流10毫安？”
　　
　　“这台机器设计上限才8……”
　　
　　“旁通阀全开，把真空度拉到10的负5次方帕。”
　　
　　林希的声音很稳，
　　
　　“抽速够了以后，束流不会散。”
　　
　　苏佩兰看了看旁边的王铁山。
　　
　　王铁山沉默了几秒，走到机器后面。
　　
　　蹲下去看了看分子泵的参数铭牌。
　　
　　“能拉到。”
　　
　　他直起腰，
　　
　　“负5次方没问题，就是没人敢这么用。”
　　
　　“那就用。”林希说。
　　
　　王铁山没再犹豫。
　　
　　他抱着扳手绕到机器背面，拧开旁通阀。
　　
　　苏佩兰深吸一口气，坐回操作台。
　　
　　束流电流：10mA。
　　
　　加速电压：50keV。
　　
　　真空度读数开始往下掉。
　　
　　10的负3次方。
　　
　　负4次方。
　　
　　分子泵的声音变得尖锐。
　　
　　负5次方。
　　
　　稳住了。
　　
　　“注入。”林希说。
　　
　　苏佩兰按下启动键。
　　
　　机器轰鸣声骤然变调，像一头沉睡的野兽被唤醒。
　　
　　离子束击中硅片表面。
　　
　　六十秒。
　　
　　一百二十秒。
　　
　　注入结束。
　　
　　苏佩兰取出硅片，双手端着，走到显微镜前。
　　
　　车间里所有人的呼吸都停了。
　　
　　她把硅片放上载物台，调焦。
　　
　　看了三秒。
　　
　　又调了一下倍率。
　　
　　再看了五秒。
　　
　　她抬起头。
　　
　　嘴唇哆嗦了两下。
　　
　　“均匀的。”
　　
　　她的声音带着哭腔。
　　
　　“深度完全一致。”
　　
　　王铁山冲过去，把她从椅子上挤开，自己趴到目镜上看。
　　
　　看完，他直起腰，一屁股坐在了地上。
　　
　　“成了。”
　　
　　两个字。
　　
　　直播间弹幕彻底爆炸。
　　
　　【流片成功！！！华国硅基芯片流片成功了！！！】
　　
　　【1983年！自主光刻机+自主离子注入！流片流程打通！】
　　
　　【这帮老师傅是真的牛，参数给到位了，手上的活一点不含糊】
　　
　　【哭了哭了，跪在地上画版图，趴在机器前调参数，这就是华国芯片的第一步】
　　
　　林希站在车间中央。
　　
　　周围是沸腾的欢呼声。
　　
　　林希转头看向窗外。
　　
　　七月底的津门，太阳正落。
　　
　　晚霞把整个二厂的厂房染成暗红色。
　　
　　司徒渊不知道什么时候走到他旁边。
　　
　　两人并排站着，看着窗外。
　　
　　“林总。”司徒渊开口。
　　
　　“嗯。”
　　
　　“流片成功了，但这只是工程样片。”
　　
　　司徒渊推了推眼镜。
　　
　　“量产之前，还差最后一步，”
　　
　　“封装，测试。”